Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

Source-End Layout Influences on MOSFET ESD Protection Devices in a 0.35um 5V Process

Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 785 KB
english, 2013
9

An Optimization Design in the HV nLDMOS by Taguchi Method

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 2012
10

Influence of a Deep NBL Structure on ESD/Latch-Up Immunities in the Power Device nLDMOS

Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 418 KB
english, 2013
11

Reliability LU Appropriate Designs in an HV nLDMOS

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 398 KB
english, 2012